美国白宫22日公布了2015年度美国最高科技奖项获得者名单,包括9名国家科学奖获得者和8名国家技术和创新奖获得者。美籍华人科学家胡正明是国家技术和创新奖获得者之一。
胡正明1947年在北京出生,先后在中国台湾和美国的高校就读,本月早些时候当选美国国家发明家科学院院士,是微电子微型化和可靠性领域的主要开拓者。加州大学伯克利分校在获奖消息中称,胡正明教授的主要贡献是由他发明的鳍式场效晶体管(FinFET)。
美国国家技术和创新奖1980年立法设立,由美国联邦政府商务部下属专利商标局管理。一个独立委员会负责向美国总统提名获奖人,表彰那些为提供美国竞争能力、国民生活品质和劳动力技术素质作出持久贡献的人士。
米ホワイトハウスは22日、2015年度のアメリカ国家科学賞(計9人)、アメリカ国家技術賞(計8人)の受賞者を発表した。米国籍中国人の胡正明氏が、後者を受賞した。
胡氏は1947年に北京に生まれ、中国台湾と米国の大学で学んだ。今月上旬には米国発明家アカデミーの会員に選ばれた。胡氏はマイクロ電子マイクロ化および信頼性分野の主な開拓者だ。カリフォルニア大学バークレー校によると、胡氏は自ら発明した次世代型トランジスタ「FinFET」の貢献が認められ受賞となった。
アメリカ国家技術賞は1980年に創設され、米商務省の特許商標庁によって管理される。一つの独立した委員会が米大統領に受賞者を推薦し、米国の競争力、国民生活の質、労働力技術に持続的な貢献を成し遂げた人物を表彰する。
「人民網日本語版」2015年12月24日