天津大学、半導体グラフェンの研究に新たな進展

天津大学がこのほど、同大学天津ナノ粒子・ナノシステム国家研究センターの馬雷教授の研究チームによる研究成果「炭化ケイ素に成長した超高移動度半導体エピタキシャルグラフェン」が、グラフェン電子学の発展を長期的に妨げてきた重要な技術的難題の解決に成功し、グラフェンにバンドギャップを形成したと明らかにした。このブレイクスルーはグラフェン半導体製造分野の扉を開く重要な節目とされている。研究成果は「ネイチャー」誌にオンライン掲載された。人民日報が伝えた。

馬氏は、「グラフェンは初めて発見された室温で安定的に存在する二次元材料で、その独特なディラック・コーン構造が『ゼロバンドギャップ』という特徴をもたらしている。この特徴こそがグラフェン研究者を数十年悩ませてきた難題だ。いかにグラフェンにバンドギャップを形成するかがグラフェン電子学の扉を開く重要なカギとなる。研究チームはエピタキシャルグラフェンの成長プロセスの正確な調整・制御を通して、グラフェンにおけるバンドギャップの形成に成功し、新型の安定した半導体グラフェンを創出した」と説明した。

この画期的な研究では、バンドギャップを備える半導体グラフェンは、高性能電子部品に全く新しい材料の選択肢をもたらした。この半導体の発展は従来のシリコン系の高性能電子部品を上回る新たな道を切り開いただけでなく、半導体業界全体にも新たな原動力を注入した。（編集YF）

「人民網日本語版」2024年1月10日