中国の科学者、ナノ級3次元構造のレーザー刻印に初成功

世界トップレベルの学術誌「ネイチャー」は14日夜、中国の科学者による次世代光電子半導体製造分野の重要なブレイクスルーを発表した。南京大学の張勇氏、肖敏氏、祝世寧氏が率いる科学研究チームは、新型「非相互的フェムト秒レーザー分極化強誘電性分域」技術を発明した。フェムト秒パルスレーザーを材料「ニオブ酸リチウム」の結晶体内部に合焦させ、レーザー移動の方向をコントロールすることで、結晶体内部に効果的な電界を形成し、3次元構造の直写と削除を実現している。中央テレビニュースが伝えた。

同新技術は従来のフェムト秒レーザー光の回折の極限を打破し、ニオブ酸リチウム3次元構造のレーザー刻印のサイズを従来の1ミクロン（髪の毛の50分の1に相当）から初めてナノメートル級の30ナノメートルにし、加工精度を大幅に上げた。

この重要な発明は将来的に、光電子チップ製造の新たな競争の場となる可能性がある。電気光学変調器、音響フィルター、不揮発性強誘電体メモリなどの重要光電子部品・半導体の製造に用いられる見込みで、5G・6G通信、光計算、人工知能などの分野で広い応用の見通しがある。（編集YF）

「人民網日本語版」2022年9月16日