第3世代半導体研究院、新材料を開発

半導体を小型化し、耐電圧性を高め、電気抵抗を引き下げ、オン・オフをスムーズにするにはどうするべきだろうか？窒化ガリウム（GaN）を中心とする第3世代半導体が、発展の方向性になろうとしている。このほど第3世代半導体技術の産業化に専念する、江蘇華功第三代半導体産業技術研究院が設立された。人民日報が伝えた。

シリコン半導体の材料と部品は、材料品質、部品設計、技術改善などが十分に行われている。シリコン材料はすでに、物理的な限界に近づいている。中国科学院院士、同研究院院長の甘子釗教授によると、シリコン電子部品と異なり、第3世代ワイドギャップ半導体窒化ガリウムは耐電圧性が高く、電気抵抗が小さく、オン・オフがスムーズといったメリットがある。電源システムの稼働効率を高め、エネルギー消費量を引き下げ、小型化できる。そのため産業の発展と応用の高い将来性があるという。（編集YF）

「人民網日本語版」2016年10月20日