米ホワイトハウスは22日、2015年度のアメリカ国家科学賞(計9人)、アメリカ国家技術賞(計8人)の受賞者を発表した。米国籍中国人の胡正明氏が、後者を受賞した。新華社が伝えた。
胡氏は1947年に北京に生まれ、中国台湾と米国の大学で学んだ。今月上旬には米国発明家アカデミーの会員に選ばれた。胡氏はマイクロ電子マイクロ化および信頼性分野の主な開拓者だ。カリフォルニア大学バークレー校によると、胡氏は自ら発明した次世代型トランジスタ「FinFET」の貢献が認められ受賞となった。
アメリカ国家技術賞は1980年に創設され、米商務省の特許商標庁によって管理される。一つの独立した委員会が米大統領に受賞者を推薦し、米国の競争力、国民生活の質、労働力技術に持続的な貢献を成し遂げた人物を表彰する。(編集YF)
「人民網日本語版」2015年12月25日