中国のハイテク産業の発展にブレーキ？　ZTEに対する米国の制裁に注目集まる (2)

中国はハイエンドマイクロチップの自主研究開発・製造可能

第13次五カ年計画（2016-20年）国家重点研究開発計画「光電子とマイクロエレクトロニクスの部品、集積回路」の重点特定項目専門家グループのグループ長を務める、中国科学院半導体所の祝寧華・副所長は、「中国は近年、光電子の分野の科学技術革新をサポートしており、豊富な革新的成果を上げている」とする。

祝副所長によると、国家ハイテク研究発展計画（863計画）の第12次五カ年計画（2011-15年）だけを見ても、中国政府は、ブロードバンド通信や高性能コンピューターなどの多くの分野で、光電子の部品に焦点を絞り、取り組みを行っている。「それらの研究開発プロジェクトの多くは、将来に目を向けた取り組みで、中興通訊が今回米国から輸入できなくなったマイクロチップも、第12次五カ年計画、第13次五カ年計画において関連の計画が策定されている」。

祝副所長によると、現在、中国は光電子のハイエンドマイクロチップの研究、開発ができる条件を基本的に整えている。自主開発、発展を進めるために、中国は08年に集積回路の製造装置、技術に焦点を絞った国家科学技術重大特定項目を実施し、9年間の取り組みを経て、集積回路の製造業の新体系構築に成功した。特定項目が実施される以前、中国の集積回路の最先端製品技術は130ナノメートル、研究開発されている技術は90ナノメートルだった。しかし9年で、中国の主流技術の水準は5プロセス向上し、55、40、28ナノメートルの研究開発に成功し、量産できるようになった。また、22、14ナノメートルの最先端技術研究開発でも大きな成果を上げ、14ナノメートルのエッチング装置、ナノ要素集合薄膜など、30種類以上のハイエンド装置や、ターゲット材、磨き液などの百種類以上の材料、製品の研究、開発に成功し、その性能は世界最先端となっている。（編集KN）

「人民網日本語版」2018年4月24日